MRF5S21090HR5 Freescale Semiconductor
Hersteller: Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 850 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 14.5dB
Power - Output: 19W
Frequency: 2.11GHz
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Bulk
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Technische Details MRF5S21090HR5 Freescale Semiconductor
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S21090HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz, Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: 269W, Bauform - Transistor: NI-780, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MRF5S21090HR5 nach Preis ab 146.99 EUR bis 146.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| MRF5S21090HR5 | NXP (VIA ROCHESTER) |
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S21090HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780 tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz euEccn: TBC Verlustleistung: 269W Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRF5S21090HR5 |
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auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRF5S21090HR5 |
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Hersteller: NXP (VIA ROCHESTER)
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S21090HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780
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Transistormontage: Flanschklemme
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Dauer-Drainstrom Id: -A
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Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz
Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz
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Verlustleistung: 269W
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF5S21090HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 269 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780
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Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 146.99 EUR |
| MRF5S21090HR5 |
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auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)