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MRF6S19200HR5 Freescale Semiconductor

MRF6S19200H.pdf
Hersteller: Freescale Semiconductor
Description: FET RF 66V 1.99GHZ NI780
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Technische Details MRF6S19200HR5 Freescale Semiconductor

Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S19200HR5 - HF-FET-Transistor, 66 VDC, 1.93 GHz, 1.99 GHz, NI-780, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 66VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 1.99GHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.93GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: -W, Bauform - Transistor: NI-780, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MRF6S19200HR5 NXP (VIA ROCHESTER) 4158997.pdf Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S19200HR5 - HF-FET-Transistor, 66 VDC, 1.93 GHz, 1.99 GHz, NI-780
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 66VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 1.99GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.93GHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: -W
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MRF6S19200HR5 4158997.pdf
Hersteller: NXP (VIA ROCHESTER)
Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S19200HR5 - HF-FET-Transistor, 66 VDC, 1.93 GHz, 1.99 GHz, NI-780
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 66VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
Betriebsfrequenz, max.: 1.99GHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.93GHz
euEccn: TBC
Verlustleistung: -W
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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