Technische Details MRF6V2150NBR5 NXP Semiconductors
Description: RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-272BB, Frequency: 220MHz, Power - Output: 150W, Gain: 25dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-272 WB-4, Part Status: Active, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 450 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| MRF6V2150NBR5 | Freescale Semiconductor |
 Description: RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-Packaging: Bulk Package / Case: TO-272BB Frequency: 220MHz Power - Output: 150W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 450 mA |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MRF6V2150NBR5 | NXP / Freescale |
RF MOSFET Transistors VHV6 150W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET |
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| MRF6V2150NBR5 |
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Hersteller: Freescale Semiconductor
Description: RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-272BB
Frequency: 220MHz
Power - Output: 150W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-272 WB-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 450 mA
Description: RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-272BB
Frequency: 220MHz
Power - Output: 150W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-272 WB-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 110 V
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Current - Test: 450 mA
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| MRF6V2150NBR5 |
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Hersteller: NXP / Freescale
RF MOSFET Transistors VHV6 150W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET
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