MRF7P20040HSR3
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Technische Details MRF7P20040HSR3
Description: FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.03GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 10W, Gain: 18.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 150 mA.
Weitere Produktangebote MRF7P20040HSR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| MRF7P20040HSR3 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRF7P20040HSR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 20665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRF7P20040HSR3 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 10W Gain: 18.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 32 V Current - Test: 150 mA |
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MRF7P20040HSR3 | Hersteller : NXP / Freescale |
RF MOSFET Transistors HV7 2GHZ 40W NI780HS-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |