MRF7S21110HR3 NXP Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
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Technische Details MRF7S21110HR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-957A, Frequency: 2.17GHz, Power - Output: 33W, Gain: 17.3dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780H-2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.1 A.
Weitere Produktangebote MRF7S21110HR3 nach Preis ab 154.9 EUR bis 254.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| MRF7S21110HR3 | Freescale Semiconductor |
 Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780Packaging: Bulk Package / Case: SOT-957A Frequency: 2.17GHz Power - Output: 33W Gain: 17.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.1 A |
auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MRF7S21110HR3 | NXP |
Description: NXP - MRF7S21110HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRF7S21110HR3 |
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Hersteller: Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
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Package / Case: SOT-957A
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Power - Output: 33W
Gain: 17.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.1 A
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
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Gain: 17.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.1 A
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 154.9 EUR |
| MRF7S21110HR3 |
|
Hersteller: NXP
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auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 254.33 EUR |