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MRF7S21210HR5 Freescale Semiconductor

Hersteller: Freescale Semiconductor
Description: FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-957A
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 63W
Gain: 18.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A

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Technische Details MRF7S21210HR5 Freescale Semiconductor

Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF7S21210HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: TBC, Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz, Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz, euEccn: TBC, Verlustleistung: -W, Bauform - Transistor: NI-780, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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	MRF7S21210HR5	Hersteller : NXP (VIA ROCHESTER)	Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF7S21210HR5 - HF-FET-Transistor, 65 VDC, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-780 tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 65VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz euEccn: TBC Verlustleistung: -W Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)