MRFE6S9200HR3
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Technische Details MRFE6S9200HR3
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-957A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 880MHz, Power - Output: 58W, Gain: 21dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-880H-2L, Voltage - Rated: 66 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.4 A.
Weitere Produktangebote MRFE6S9200HR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| MRFE6S9200HR3 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFE6S9200HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6S9200HR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 66V 3-Pin NI-880 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRFE6S9200HR3 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 58W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880H-2L Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MRFE6S9200HR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors HV6E 900MHZ 200W NI880H |
Produkt ist nicht verfügbar |