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MRFE6S9200HR3

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Technische Details MRFE6S9200HR3

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-957A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 880MHz, Power - Output: 58W, Gain: 21dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-880H-2L, Voltage - Rated: 66 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.4 A.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	MRFE6S9200HR3	NXP USA Inc.	Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 58W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880H-2L Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	MRFE6S9200HR3	NXP Semiconductors	RF MOSFET Transistors HV6E 900MHZ 200W NI880H	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MRFE6S9200HR3

Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-957A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 880MHz
Power - Output: 58W
Gain: 21dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-880H-2L
Voltage - Rated: 66 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A

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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors HV6E 900MHZ 200W NI880H

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