MRFE6VP5150GNR1 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270BB
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 150W
Gain: 26.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270BB
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 150W
Gain: 26.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
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| 1+ | 64.82 EUR |
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Technische Details MRFE6VP5150GNR1 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 139V, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 952W, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 952W, Bauform - HF-Transistor: TO-270WB, Anzahl der Pins: 4Pin(s), productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MRFE6VP5150GNR1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MRFE6VP5150GNR1 | Hersteller : NXP |
 Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBGtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 139V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 952W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP5150GNR1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 139V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 952W Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 952W Bauform - HF-Transistor: TO-270WB Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP5150GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRFE6VP5150GNR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 150W Gain: 26.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MRFE6VP5150GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |