MRFE6VP5150GNR1 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 95.9 EUR |
| 10+ | 78.71 EUR |
| 25+ | 74.41 EUR |
| 100+ | 69.7 EUR |
| 250+ | 67.45 EUR |
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Technische Details MRFE6VP5150GNR1 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 139V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 952W, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 952W, Bauform - Transistor: TO-270WBG, Bauform - HF-Transistor: TO-270WB, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MRFE6VP5150GNR1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MRFE6VP5150GNR1 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MRFE6VP5150GNR1 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Frequency: 230MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270BB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 133 V Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull Technology: LDMOS Gain: 26.1dB Power - Output: 150W Configuration: Dual |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRFE6VP5150GNR1 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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MRFE6VP5150GNR1 | NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 139V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 952W Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 952W Bauform - Transistor: TO-270WBG Bauform - HF-Transistor: TO-270WB Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MRFE6VP5150GNR1 | NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 139V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 952W Bauform - Transistor: TO-270WBG Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MRFE6VP5150GNR1 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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| MRFE6VP5150GNR1 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MRFE6VP5150GNR1 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
RF MOSFET Transistors 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| MRFE6VP5150GNR1 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 952W
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WBG
Bauform - HF-Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 952W
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WBG
Bauform - HF-Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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| MRFE6VP5150GNR1 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WBG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WBG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH