MRFE6VP5150NR1 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V
RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V
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25+ | 83.36 EUR |
50+ | 81.59 EUR |
100+ | 75.82 EUR |
250+ | 73.22 EUR |
500+ | 67.81 EUR |
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Technische Details MRFE6VP5150NR1 NXP Semiconductors
Description: NXP - MRFE6VP5150NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 952W, Bauform - Transistor: TO-270WB, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C.
Weitere Produktangebote MRFE6VP5150NR1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MRFE6VP5150NR1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5150NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 952W Bauform - Transistor: TO-270WB Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C |
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MRFE6VP5150NR1 | Hersteller : NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 |
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MRFE6VP5150NR1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5150NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 952W Bauform - Transistor: TO-270WB Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP5150NR1 | Hersteller : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R |
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MRFE6VP5150NR1 | Hersteller : NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 |
Produkt ist nicht verfügbar |