MRFE6VP5300NR1 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270AB
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 27dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
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Technische Details MRFE6VP5300NR1 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRFE6VP5300NR1 - HF-FET-Transistor, 140 V, 909 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 140V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 909W, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 909W, Bauform - Transistor: TO-270WB, Bauform - HF-Transistor: TO-270WB, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C.
Weitere Produktangebote MRFE6VP5300NR1 nach Preis ab 130.13 EUR bis 161.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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MRFE6VP5300NR1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5300NR1 - HF-FET-Transistor, 140 V, 909 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 140V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 909W Bauform - Transistor: TO-270WB Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP5300NR1 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5300NR1 - HF-FET-Transistor, 140 V, 909 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 140V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 909W Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 909W Bauform - Transistor: TO-270WB Bauform - HF-Transistor: TO-270WB Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRFE6VP5300NR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V |
auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MRFE6VP5300NR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRFE6VP5300NR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRFE6VP5300NR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 27dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |