MRFE6VP5600HR6 NXP Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 255.73 EUR |
| 10+ | 237.66 EUR |
| 25+ | 226.32 EUR |
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Technische Details MRFE6VP5600HR6 NXP Semiconductors
Description: NXP - MRFE6VP5600HR6 - HF-FET-Transistor, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 130V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.667kW, Bauform - Transistor: NI-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MRFE6VP5600HR6 nach Preis ab 226.32 EUR bis 348.50 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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MRFE6VP5600HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP5600HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP5600HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP5600HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230H |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MRFE6VP5600HR6 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MRFE6VP5600HR6 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP5600HR6 - HF-FET-Transistor, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 130V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 1.667kW Bauform - Transistor: NI-1230 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFE6VP5600HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRFE6VP5600HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRFE6VP5600HR6 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |