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MRFE6VP61K25HR6 NXP Semiconductors


mrfe6vp61k25h.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R
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Technische Details MRFE6VP61K25HR6 NXP Semiconductors

Description: NXP - MRFE6VP61K25HR6 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, Verlustleistung: 1.333kW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: NI-1230H-4S, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HR6 NXP Semiconductors mrfe6vp61k25h.pdf Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R
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MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HR6 NXP Semiconductors MRFE6VP61K25H-3138980.pdf RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H
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MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HR6 NXP USA Inc. MRFE6VP61K25H.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HR6 NXP USA Inc. MRFE6VP61K25H.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
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MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HR6 NXP 2294060.pdf Description: NXP - MRFE6VP61K25HR6 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 1.333kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: NI-1230H-4S
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
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Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
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Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
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Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
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Transistormontage: Flanschklemme
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Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 1.333kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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