MRFE6VP61K25HR6 NXP Semiconductors
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 476.53 EUR |
| 5+ | 406.78 EUR |
| 10+ | 366.33 EUR |
| 25+ | 341.78 EUR |
| 150+ | 316.39 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MRFE6VP61K25HR6 NXP Semiconductors
Description: NXP - MRFE6VP61K25HR6 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.333kW, Bauform - Transistor: NI-1230, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C.
Weitere Produktangebote MRFE6VP61K25HR6 nach Preis ab 473.12 EUR bis 521.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP USA Inc. |
 Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H |
auf Bestellung 191 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP61K25HR6 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 1.333kW Bauform - Transistor: NI-1230 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |