MRFE6VP61K25HR6 NXP Semiconductors
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 366.72 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MRFE6VP61K25HR6 NXP Semiconductors
Description: NXP - MRFE6VP61K25HR6 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Flanschklemme, Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.333kW, Bauform - Transistor: NI-1230H-4S, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MRFE6VP61K25HR6 nach Preis ab 306.57 EUR bis 403.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFE6VP61K25HR6 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 1.333kW Bauform - Transistor: NI-1230H-4S Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
 |
MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
MRFE6VP61K25HR6 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |