MRFE6VP6600NR3 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-780-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 24.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-780-4L
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
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Technische Details MRFE6VP6600NR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-780-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 230MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 600W, Gain: 24.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-780-4L, Voltage - Rated: 133 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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MRFE6VP6600NR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin OM-780 EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRFE6VP6600NR3 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 24.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-4L Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
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| MRFE6VP6600NR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V |
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