MRFX1K80GNR5 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230G-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230G-4L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz
Power - Output: 1800W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230G-4L
Part Status: Active
Voltage - Test: 65 V
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Technische Details MRFX1K80GNR5 NXP USA Inc.
Description: NXP - MRFX1K80GNR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 179V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 400MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.333kW, Bauform - Transistor: OM-1230G, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MRFX1K80GNR5 nach Preis ab 480.37 EUR bis 563.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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MRFX1K80GNR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230G-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: OM-1230G-4L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz Power - Output: 1800W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230G-4L Part Status: Active Voltage - Test: 65 V |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MRFX1K80GNR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MRFX1K80GNR5 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230G-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-1230G-4L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz
Power - Output: 1800W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230G-4L
Part Status: Active
Voltage - Test: 65 V
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230G-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-1230G-4L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz
Power - Output: 1800W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230G-4L
Part Status: Active
Voltage - Test: 65 V
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 546.26 EUR |
| 10+ | 489.64 EUR |
| MRFX1K80GNR5 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 563.62 EUR |
| 10+ | 480.37 EUR |