MRFX1K80GNR5 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 392.44 EUR |
| 10+ | 345.59 EUR |
| 25+ | 332.38 EUR |
| 50+ | 264.12 EUR |
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Technische Details MRFX1K80GNR5 NXP Semiconductors
Description: NXP - MRFX1K80GNR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 179V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 400MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.333kW, Bauform - Transistor: OM-1230G, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 225°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MRFX1K80GNR5 nach Preis ab 352.98 EUR bis 429.00 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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MRFX1K80GNR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230G-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: OM-1230G-4L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz Power - Output: 1800W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230G-4L Part Status: Active Voltage - Test: 65 V |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MRFX1K80GNR5 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFX1K80GNR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 179V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 400MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 3.333kW Bauform - Transistor: OM-1230G Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFX1K80GNR5 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - MRFX1K80GNR5 - HF-FET-Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 179V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 400MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 3.333kW Bauform - Transistor: OM-1230G Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRFX1K80GNR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230G-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-1230G-4L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 470MHz Power - Output: 1800W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230G-4L Part Status: Active Voltage - Test: 65 V |
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