MRFX600HR5 NXP Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 196.65 EUR |
| 10+ | 185.84 EUR |
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Technische Details MRFX600HR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780-4, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 600W, Gain: 26.4dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780-4, Voltage - Rated: 179 V, Voltage - Test: 65 V, Current - Test: 100 mA.
Weitere Produktangebote MRFX600HR5 nach Preis ab 185.84 EUR bis 196.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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MRFX600HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-780 T/R |
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MRFX600HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-780 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRFX600HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 179V 5-Pin NI-780 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MRFX600HR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-4 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 26.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Voltage - Rated: 179 V Voltage - Test: 65 V Current - Test: 100 mA |
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MRFX600HR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-780-4 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 26.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Voltage - Rated: 179 V Voltage - Test: 65 V Current - Test: 100 mA |
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MRFX600HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V |
Produkt ist nicht verfügbar |