MS1001 Advanced Semiconductor, Inc.


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Hersteller: Advanced Semiconductor, Inc.
RF Bipolar Transistors RF Transistor
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Technische Details MS1001 Advanced Semiconductor, Inc.

Description: RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174, Packaging: Bulk, Package / Case: M174, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 13dB, Power - Max: 270W, Current - Collector (Ic) (Max): 20A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: M174, Part Status: Obsolete.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MS1001 Microsemi Corporation index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=9547 Description: RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174
Packaging: Bulk
Package / Case: M174
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 270W
Current - Collector (Ic) (Max): 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: M174
Part Status: Obsolete
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MS1001 Microchip Technology MS1001_REV_-2528779.pdf RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174
Packaging: Bulk
Package / Case: M174
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 270W
Current - Collector (Ic) (Max): 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: M174
Part Status: Obsolete
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