MS1001 Advanced Semiconductor, Inc.
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 128.74 EUR |
| 10+ | 116.67 EUR |
| 25+ | 112.64 EUR |
| 50+ | 108.61 EUR |
| 100+ | 104.58 EUR |
| 250+ | 101.38 EUR |
| 500+ | 99.6 EUR |
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Technische Details MS1001 Advanced Semiconductor, Inc.
Description: RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174, Packaging: Bulk, Package / Case: M174, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 13dB, Power - Max: 270W, Current - Collector (Ic) (Max): 20A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: M174, Part Status: Obsolete.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| MS1001 | Hersteller : MICROSEMI |
 TO-55 |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MS1001 | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174 Packaging: Bulk Package / Case: M174 Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 270W Current - Collector (Ic) (Max): 20A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: M174 Part Status: Obsolete |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MS1001 | Hersteller : Microchip Technology |
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |