MSB92ASWT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details MSB92ASWT1G onsemi
Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MSB92ASWT1G nach Preis ab 0.072 EUR bis 0.38 EUR
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MSB92ASWT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 0.5A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 150 mW |
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MSB92ASWT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V PNP |
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MSB92ASWT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSB92ASWT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSB92ASWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MSB92ASWT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MSB92ASWT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
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MSB92ASWT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
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MSB92ASWT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
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| MSB92ASWT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.15W Current gain: 120...200 Collector-emitter voltage: 300V |
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