MSC015SMA070B4 Microchip Technology
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 61.60 EUR |
| 30+ | 56.80 EUR |
| 120+ | 49.42 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MSC015SMA070B4 Microchip Technology
Description: TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 455W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V.
Weitere Produktangebote MSC015SMA070B4 nach Preis ab 87.98 EUR bis 87.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC015SMA070B4 | Hersteller : Microchip Technology |
 Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
 |
MSC015SMA070B4 | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 455W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||
| MSC015SMA070B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||
|
|
MSC015SMA070B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
|
|
MSC015SMA070B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||
| MSC015SMA070B4 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
MSC015SMA070B4 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||
 |
MSC015SMA070B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 455W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V |
Produkt ist nicht verfügbar |