MSC015SMA070B4 Microchip Technology
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 35.1 EUR |
| 10+ | 32.36 EUR |
| 120+ | 28.17 EUR |
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Technische Details MSC015SMA070B4 Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 455W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote MSC015SMA070B4 nach Preis ab 32.24 EUR bis 104.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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MSC015SMA070B4 | MICROCHIP |
 Description: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 455W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC015SMA070B4 | Microchip Technology |
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MSC015SMA070B4 | Microchip Technology |
Description: TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): +23V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA Power Dissipation (Max): 455W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MSC015SMA070B4 |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Dauer-Drainstrom Id: 140A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 67.59 EUR |
| MSC015SMA070B4 |
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Hersteller: Microchip Technology
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 104.7 EUR |
| MSC015SMA070B4 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Description: TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 34.97 EUR |
| 25+ | 32.24 EUR |