MSC017SMA120J Microchip Technology
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Technische Details MSC017SMA120J Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227, Packaging: Bulk, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ), Supplier Device Package: SOT-227, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V.
Weitere Produktangebote MSC017SMA120J nach Preis ab 110.48 EUR bis 110.48 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||
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MSC017SMA120J | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227Packaging: Bulk Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ) Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V |
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| MSC017SMA120J | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227 |
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| MSC017SMA120J | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227 |
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