MSC035SMA170B4 Microchip Technology
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| 3+ | 60.32 EUR |
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Technische Details MSC035SMA170B4 Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC035SMA170B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote MSC035SMA170B4 nach Preis ab 50.46 EUR bis 72.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MSC035SMA170B4 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
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MSC035SMA170B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
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MSC035SMA170B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247- Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 2.5mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 1000 V |
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MSC035SMA170B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
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MSC035SMA170B4 | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC035SMA170B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC035SMA170B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A |
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MSC035SMA170B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
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| MSC035SMA170B4 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
MSC035SMA170B4 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC035SMA170B4 | Hersteller : Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |