MSC035SMA170B4 Microchip Technology
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Technische Details MSC035SMA170B4 Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MSC035SMA170B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 370W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.
Weitere Produktangebote MSC035SMA170B4 nach Preis ab 60.4 EUR bis 97.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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MSC035SMA170B4 | Microchip Technology |
 SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4 |
auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSC035SMA170B4 | Microchip Technology |
Description: MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247- Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 2.5mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSC035SMA170B4 | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC035SMA170B4 | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC035SMA170B4 | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC035SMA170B4 | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC035SMA170B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MSC035SMA170B4 |
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Hersteller: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 75.29 EUR |
| 10+ | 69.41 EUR |
| 120+ | 60.4 EUR |
| MSC035SMA170B4 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 2.5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 1000 V
Description: MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 2.5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 1000 V
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| 25+ | 70.86 EUR |
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| MSC035SMA170B4 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 210 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| MSC035SMA170B4 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 210 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 79.56 EUR |
| 10+ | 76.71 EUR |
| 25+ | 68.12 EUR |
| 100+ | 62.84 EUR |
| MSC035SMA170B4 |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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| 3+ | 88 EUR |
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| 20+ | 68.94 EUR |
| MSC035SMA170B4 |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC035SMA170B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
Description: MICROCHIP - MSC035SMA170B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 97.03 EUR |