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MSC035SMA170B4

MSC035SMA170B4 Microchip Technology

microsemi_msc035sma170b4_sic_mosfet_datasheet_a.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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Technische Details MSC035SMA170B4 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - MSC035SMA170B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MSC035SMA170B4 MSC035SMA170B4 Microchip Technology MSC035SMA170B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
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MSC035SMA170B4 MSC035SMA170B4 Microchip Technology Microsemi_MSC035SMA170B4_SiC_MOSFET_Datasheet_A.PDF Description: MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 2.5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 1000 V
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MSC035SMA170B4 MSC035SMA170B4 Microchip Technology microsemi_msc035sma170b4_sic_mosfet_datasheet_a.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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MSC035SMA170B4 MSC035SMA170B4 Microchip Technology microsemi_msc035sma170b4_sic_mosfet_datasheet_a.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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MSC035SMA170B4 MSC035SMA170B4 Microchip Technology microsemi_msc035sma170b4_sic_mosfet_datasheet_a.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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10+68.9 EUR
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MSC035SMA170B4 MSC035SMA170B4 MICROCHIP 3683076.pdf Description: MICROCHIP - MSC035SMA170B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 2.5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 1000 V
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MSC035SMA170B4
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auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC035SMA170B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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