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MSC060SMA070B

MSC060SMA070B Microchip Technology

MSC060SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
Hersteller: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247
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Technische Details MSC060SMA070B Microchip Technology

Description: SICFET N-CH 700V 39A TO247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 143W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MSC060SMA070B MSC060SMA070B Microchip Technology MSC060SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Description: SICFET N-CH 700V 39A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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MSC060SMA070B Microchip Technology microsemi_msc060sma070b4_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
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FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
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