
MSC060SMA070B MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 28A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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7+ | 10.42 EUR |
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Technische Details MSC060SMA070B MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: SICFET N-CH 700V 39A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 143W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V.
Weitere Produktangebote MSC060SMA070B nach Preis ab 10.42 EUR bis 26.13 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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MSC060SMA070B | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W Drain-source voltage: 700V Drain current: 28A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 143W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 56nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 100A Mounting: THT Case: TO247-3 |
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![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V |
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