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MSC060SMA070B4

MSC060SMA070B4 Microchip Technology

MSC060SMA070B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
Hersteller: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
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Technische Details MSC060SMA070B4 Microchip Technology

Description: MICROCHIP - MSC060SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 700 V, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 143W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MSC060SMA070B4 MSC060SMA070B4 MICROCHIP 3683079.pdf Description: MICROCHIP - MSC060SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 700 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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MSC060SMA070B4 Microchip Technology Description: TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V
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25+11.09 EUR
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MSC060SMA070B4 Microchip Technology microsemi_msc060sma070b4_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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MSC060SMA070B4 Microchip Technology microsemi_msc060sma070b4_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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MSC060SMA070B4 Microchip Technology microsemi_msc060sma070b4_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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MSC060SMA070B4 Microchip Technology microsemi_msc060sma070b4_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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60+20.94 EUR
120+19.35 EUR
180+18.06 EUR
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MSC060SMA070B4 3683079.pdf
MSC060SMA070B4
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC060SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 700 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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MSC060SMA070B4
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4
Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 700 V
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MSC060SMA070B4 microsemi_msc060sma070b4_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf
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Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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MSC060SMA070B4 microsemi_msc060sma070b4_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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11+16.33 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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MSC060SMA070B4 microsemi_msc060sma070b4_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf
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Trans MOSFET N-CH SiC 700V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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