MSC080SMA120B MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 91A; 200W
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 64nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 91A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 18.33 EUR |
| 5+ | 17.82 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MSC080SMA120B MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote MSC080SMA120B nach Preis ab 14.12 EUR bis 28.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MSC080SMA120B | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 91A; 200W Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 26A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 64nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 91A Mounting: THT |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247 |
auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
|
|
MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
|
|
MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 13020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
|
|
MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
MSC080SMA120B | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
MSC080SMA120B Produktcode: 191923
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||
 |
MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |