Weitere Produktangebote MSC080SMA120B nach Preis ab 14.42 EUR bis 19.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSC080SMA120B | Hersteller : Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247 |
auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSC080SMA120B | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |