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MSC080SMA120B

MSC080SMA120B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf
Produktcode: 191923
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Transistoren > MOSFET N-CH

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MSC080SMA120B MSC080SMA120B Microchip Technology microsemi_msc080sma120b_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
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25+19.9 EUR
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MSC080SMA120B MSC080SMA120B Microchip Technology microsemi_msc080sma120b_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MSC080SMA120B MSC080SMA120B Microchip Technology microsemi_msc080sma120b_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MSC080SMA120B MSC080SMA120B Microchip Technology MSC080SMA120B_SiC_MOSFET_Datasheet-3444707.pdf SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247
auf Bestellung 775 Stücke:
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30+21.25 EUR
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MSC080SMA120B MSC080SMA120B Microchip Technology MSC080SMA120B-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
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MSC080SMA120B MSC080SMA120B MICROCHIP 3708059.pdf Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 15 Stücke:
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MSC080SMA120B MSC080SMA120B Microchip Technology microsemi_msc080sma120b_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MSC080SMA120B microsemi_msc080sma120b_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf
MSC080SMA120B
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
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MSC080SMA120B microsemi_msc080sma120b_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf
MSC080SMA120B
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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MSC080SMA120B microsemi_msc080sma120b_sic_mosfet_datasheet_reva.pdf
MSC080SMA120B
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Description: SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
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MSC080SMA120B
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC080SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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