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MSC080SMA120S

MSC080SMA120S Microchip Technology


1244748-msc080sma120s-datasheet Hersteller: Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 1200V 35A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 838 pF @ 1000 V
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Technische Details MSC080SMA120S Microchip Technology

Description: MICROCHIP - MSC080SMA120S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-268 (D3PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 182W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MSC080SMA120S MSC080SMA120S Hersteller : Microchip Technology Microsemi_MSC080SMA120S_SiC_MOSFET_Datasheet_RevA-2934512.pdf MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-268
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MSC080SMA120S MSC080SMA120S Hersteller : MICROCHIP 3672929.pdf Description: MICROCHIP - MSC080SMA120S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-268 (D3PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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MSC080SMA120S MSC080SMA120S Hersteller : Microchip Technology 1071357456184195132082-sic-products-brochuretmplcomponent.pdf Trans MOSFET SiC 1.2KV 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
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MSC080SMA120S Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 1244748-msc080sma120s-datasheet MSC080SMA120S SMD N channel transistors
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