MSC090SDA330B2 Microchip Technology
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Technische Details MSC090SDA330B2 Microchip Technology
Description: SIC SBD 3300 V 90 A TO-247 MAX, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 6326pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 184A, Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 90 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 3300 V.
Weitere Produktangebote MSC090SDA330B2 nach Preis ab 759.33 EUR bis 820.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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MSC090SDA330B2 | MICROCHIP |
 Description: MICROCHIP - MSC090SDA330B2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 3.3 kV, 184 A, 927 nC, T-MAXtariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 927nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 184A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MSC090SDA330B2 | Microchip Technology |
Description: SIC SBD 3300 V 90 A TO-247 MAX Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 6326pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 184A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 90 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 3300 V |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MSC090SDA330B2 |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC090SDA330B2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 3.3 kV, 184 A, 927 nC, T-MAX
tariffCode: 85411000
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Kapazitive Gesamtladung: 927nC
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Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: MICROCHIP - MSC090SDA330B2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 3.3 kV, 184 A, 927 nC, T-MAX
tariffCode: 85411000
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Kapazitive Gesamtladung: 927nC
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 184A
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Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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| MSC090SDA330B2 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: SIC SBD 3300 V 90 A TO-247 MAX
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6326pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 184A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 90 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 3300 V
Description: SIC SBD 3300 V 90 A TO-247 MAX
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
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Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6326pF @ 1V, 1MHz
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Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 90 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 3300 V
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