Weitere Produktangebote MSC090SMA070B nach Preis ab 7.21 EUR bis 7.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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MSC090SMA070B | Microchip Technology |
 Description: SICFET N-CH 700V TO247-3Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-3 FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSC090SMA070B | Microchip Technology |
SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247 |
auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSC090SMA070B | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC090SMA070B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 700 V, 0.086 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MSC090SMA070B |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 700V TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: SICFET N-CH 700V TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 7.83 EUR |
| 25+ | 7.21 EUR |
| MSC090SMA070B |
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Hersteller: Microchip Technology
SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247
SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.85 EUR |
| MSC090SMA070B |
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC090SMA070B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 700 V, 0.086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: MICROCHIP - MSC090SMA070B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 700 V, 0.086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)