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MSC2712GT1G

MSC2712GT1G onsemi

msc2712gt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
Supplier Device Package: SC-59
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.075 EUR
6000+0.067 EUR
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Technische Details MSC2712GT1G onsemi

Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC-59, Supplier Device Package: SC-59, Frequency - Transition: 50MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MSC2712GT1G MSC2712GT1G onsemi MSC2712GT1_D-1811719.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
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MSC2712GT1G MSC2712GT1G onsemi msc2712gt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
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MSC2712GT1G ON msc2712gt1-d.pdf 05+ SOT-23
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
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