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MSC2712GT1G

MSC2712GT1G ON Semiconductor

msc2712gt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details MSC2712GT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote MSC2712GT1G nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MSC2712GT1G MSC2712GT1G ON Semiconductor msc2712gt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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9000+0.04 EUR
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MSC2712GT1G MSC2712GT1G onsemi msc2712gt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
Supplier Device Package: SC-59
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.089 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.075 EUR
15000+0.07 EUR
21000+0.067 EUR
30000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MSC2712GT1G MSC2712GT1G onsemi MSC2712GT1_D-1811719.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
auf Bestellung 20573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC2712GT1G MSC2712GT1G onsemi msc2712gt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 46500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
78+0.27 EUR
126+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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MSC2712GT1G MSC2712GT1G ONSEMI 2578349.pdf Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.55 EUR
747+0.31 EUR
1640+0.13 EUR
2128+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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MSC2712GT1G MSC2712GT1G ONSEMI 2578349.pdf Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2596 Stücke:
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500+0.55 EUR
747+0.31 EUR
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MSC2712GT1G ONSEMI msc2712gt1-d.pdf Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 721806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
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MSC2712GT1G ON msc2712gt1-d.pdf 05+ SOT-23
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MSC2712GT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4202+0.042 EUR
9000+0.04 EUR
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MSC2712GT1G msc2712gt1-d.pdf
MSC2712GT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
Supplier Device Package: SC-59
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
auf Bestellung 45000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.089 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.075 EUR
15000+0.07 EUR
21000+0.067 EUR
30000+0.063 EUR
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MSC2712GT1G MSC2712GT1_D-1811719.pdf
MSC2712GT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
auf Bestellung 20573 Stücke:
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8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MSC2712GT1G msc2712gt1-d.pdf
MSC2712GT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 46500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+0.44 EUR
78+0.27 EUR
126+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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MSC2712GT1G 2578349.pdf
MSC2712GT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
455+0.55 EUR
747+0.31 EUR
1640+0.13 EUR
2128+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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MSC2712GT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.55 EUR
747+0.31 EUR
1640+0.13 EUR
2128+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSC2712GT1G msc2712gt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSC2712GT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 721806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
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MSC2712GT1G msc2712gt1-d.pdf
Hersteller: ON
05+ SOT-23
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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