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MSC2X101SDA120J

MSC2X101SDA120J Microchip Technology

Microsemi_MSC2X101_100SDA120J_Dual_SiC_Schottky_Ba-3444481.pdf Hersteller: Microchip Technology
Diode Modules SIC SBD 1200 V 100 A Dual Parallel SOT-227
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Technische Details MSC2X101SDA120J Microchip Technology

Description: DIODE MOD SIC 1200V 100A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A (DC), Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V.

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MSC2X101SDA120J MSC2X101SDA120J Hersteller : Microchip Technology 1245013-msc2x101sda120j-msc2x100sda120j-datasheet Description: DIODE MOD SIC 1200V 100A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
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MSC2X101SDA120J Hersteller : Microchip Technology mi_msc2x101_100sda120j_dual_sic_schottky_barrier_diode_a.pdf Diode Schottky SiC 100A 4-Pin SOT-227
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MSC2X101SDA120J Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 1245013-msc2x101sda120j-msc2x100sda120j-datasheet MSC2X101SDA120J Diode modules
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