MSC400SMA330B4 Microchip Technology
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 53.68 EUR |
| 30+ | 49.49 EUR |
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Technische Details MSC400SMA330B4 Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5A, 20V, Power Dissipation (Max): 131W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 579 pF @ 2400 V.
Weitere Produktangebote MSC400SMA330B4 nach Preis ab 49.24 EUR bis 58.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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MSC400SMA330B4 | Hersteller : Microchip Technology / Atmel |
 MOSFET 3300 V, 400 mO SiC N-Channel Power MOSFET |
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MSC400SMA330B4 | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC400SMA330B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 3.3 kV, 0.416 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V euEccn: NLR Verlustleistung: 131W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.416ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MSC400SMA330B4 | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET SIC 3300 V 400 mOhm TO-247-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MSC400SMA330B4 | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET SIC 3300 V 400 mOhm TO-247-4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC400SMA330B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5A, 20V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 579 pF @ 2400 V |
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