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MSCD60-12 Microsemi

Hersteller: Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Diode

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Technische Details MSCD60-12 Microsemi

Description: DIODE MODULE GP 1200V 60A D1, Packaging: Bulk, Package / Case: D1, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Series Connection, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A, Supplier Device Package: D1, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1200 V.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	MSCD60-12	Microsemi Corporation	Description: DIODE MODULE GP 1200V 60A D1 Packaging: Bulk Package / Case: D1 Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: D1 Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1200 V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MSCD60-12

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE GP 1200V 60A D1
Packaging: Bulk
Package / Case: D1
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: D1
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1200 V

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