MSCDC200KK70D1PAG Microchip Technology
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Technische Details MSCDC200KK70D1PAG Microchip Technology
Description: DIODE MODULE SIC 700V 200A D1P, Packaging: Box, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A, Supplier Device Package: D1P, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 700 V.
Weitere Produktangebote MSCDC200KK70D1PAG nach Preis ab 306.24 EUR bis 306.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MSCDC200KK70D1PAG | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: DIODE MODULE SIC 700V 200A D1PPackaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: D1P Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 700 V |
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| MSCDC200KK70D1PAG | Hersteller : Microchip Technology |
Power Diode Rectifier |
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| MSCDC200KK70D1PAG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
MSCDC200KK70D1PAG Diode modules |
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