
MSCSM120HM50CT3AG Microchip Technology
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 225.28 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MSCSM120HM50CT3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 44A; SP3F; Press-in PCB; 245W, Case: SP3F, Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor, Pulsed drain current: 110A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 44A, On-state resistance: 50mΩ, Power dissipation: 245W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Technology: SiC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MSCSM120HM50CT3AG nach Preis ab 263.05 EUR bis 325.34 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MSCSM120HM50CT3AG | Hersteller : Microchip Technology / Atmel |
![]() |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
MSCSM120HM50CT3AG | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|||||||||
MSCSM120HM50CT3AG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 44A; SP3F; Press-in PCB; 245W Case: SP3F Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 110A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 44A On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 245W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
MSCSM120HM50CT3AG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 44A; SP3F; Press-in PCB; 245W Case: SP3F Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 110A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 44A On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 245W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: SiC |
Produkt ist nicht verfügbar |