
MSCSM120HM50CT3AG Microchip Technology
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Technische Details MSCSM120HM50CT3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 44A; SP3F; Press-in PCB; 245W, Case: SP3F, Electrical mounting: Press-in PCB, On-state resistance: 50mΩ, Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor, Drain current: 44A, Pulsed drain current: 110A, Power dissipation: 245W, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Mechanical mounting: screw, Technology: SiC, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MSCSM120HM50CT3AG nach Preis ab 263.05 EUR bis 325.34 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MSCSM120HM50CT3AG | Hersteller : Microchip Technology / Atmel |
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MSCSM120HM50CT3AG | Hersteller : Microchip Technology |
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MSCSM120HM50CT3AG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 44A; SP3F; Press-in PCB; 245W Case: SP3F Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 50mΩ Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Drain current: 44A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 245W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 1.2kV Mechanical mounting: screw Technology: SiC Semiconductor structure: SiC diode/transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSCSM120HM50CT3AG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 44A; SP3F; Press-in PCB; 245W Case: SP3F Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 50mΩ Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Drain current: 44A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 245W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 1.2kV Mechanical mounting: screw Technology: SiC Semiconductor structure: SiC diode/transistor |
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