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MSD42SWT1G

MSD42SWT1G ON Semiconductor

msd42swt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.15A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details MSD42SWT1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 200mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 150 mW.

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MSD42SWT1G MSD42SWT1G Hersteller : onsemi msd42swt1-d.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
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MSD42SWT1G MSD42SWT1G Hersteller : onsemi MSD42SWT1_D-1811992.pdf Bipolar Transistors - BJT 150mA 300V NPN
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
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MSD42SWT1G Hersteller : ONSEMI msd42swt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.15A; 0.15W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.15W
Current gain: 25...200
Collector-emitter voltage: 300V
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