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MSD42T1G

MSD42T1G onsemi

msd42t1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.15A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
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Technische Details MSD42T1G onsemi

Description: TRANS NPN 300V 0.15A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 150 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MSD42T1G MSD42T1G Hersteller : onsemi msd42t1-d.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.15A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
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MSD42T1G MSD42T1G Hersteller : onsemi MSD42T1_D-2316139.pdf Bipolar Transistors - BJT SS XSTR HV 300V TR
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MSD42T1G MSD42T1G Hersteller : ON Semiconductor msd42t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.15A 450mW 3-Pin SC-59 T/R
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MSD42T1G MSD42T1G Hersteller : ON Semiconductor msd42wt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.15A 150mW 3-Pin SC-59 T/R
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