| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 0.36 EUR |
| 14+ | 0.21 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| 500+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.092 EUR |
| 3000+ | 0.072 EUR |
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Technische Details MSD42WT1G onsemi
Description: ONSEMI - MSD42WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 150 mA, 450 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 150mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MSD42WT1G nach Preis ab 0.087 EUR bis 0.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MSD42WT1G | onsemi |
 Description: TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 5567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSD42WT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSD42WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 150 mA, 450 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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MSD42WT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MSD42WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 150 mA, 450 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| MSD42WT1G |
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auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MSD42WT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 5567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 40+ | 0.44 EUR |
| 58+ | 0.31 EUR |
| 118+ | 0.15 EUR |
| 500+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.087 EUR |
| MSD42WT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSD42WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 150 mA, 450 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MSD42WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 150 mA, 450 mW, SC-70, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MSD42WT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSD42WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 150 mA, 450 mW, SC-70, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MSD42WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 150 mA, 450 mW, SC-70, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MSD42WT1G |
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auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)