Produkte > ONSEMI > MSD602-RT1G

MSD602-RT1G onsemi


msd602-rt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.061 EUR
6000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 3000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MSD602-RT1G onsemi

Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.

Weitere Produktangebote MSD602-RT1G nach Preis ab 0.042 EUR bis 0.35 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MSD602-RT1G MSD602-RT1G onsemi msd602-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
105+0.2 EUR
170+0.12 EUR
500+0.089 EUR
1000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1G MSD602-RT1G onsemi msd602-rt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V
auf Bestellung 14785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.35 EUR
17+0.18 EUR
100+0.08 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.052 EUR
9000+0.044 EUR
24000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1G msd602-rt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+0.31 EUR
105+0.2 EUR
170+0.12 EUR
500+0.089 EUR
1000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1G msd602-rt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V
auf Bestellung 14785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.35 EUR
17+0.18 EUR
100+0.08 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.052 EUR
9000+0.044 EUR
24000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH