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MSD602-RT1G

MSD602-RT1G onsemi

msd602-rt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details MSD602-RT1G onsemi

Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: SC-59, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MSD602-RT1G MSD602-RT1G onsemi msd602-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
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Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
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MSD602-RT1G MSD602-RT1G onsemi msd602-rt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
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Packaging: Cut Tape (CT)
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