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MSJP08N90A-BP

MSJP08N90A(TO-220AB(H)).pdf
Produktcode: 209950
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Transistoren > MOSFET N-CH

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MSJP08N90A-BP MSJP08N90A-BP Hersteller : Micro Commercial Components msjp08n90ato-220abh.pdf N-Channel Super-Junction Power MOSFET
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MSJP08N90A-BP MSJP08N90A-BP Hersteller : MCC (Micro Commercial Components) MSJP08N90A(TO-220AB(H)).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.62Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 25 V
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MSJP08N90A-BP MSJP08N90A-BP Hersteller : Micro Commercial Components (MCC) MSJP08N90A(TO-220AB(H)).pdf MOSFETs
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CD40106BPW
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uc3845b.pdf
UC3845BD1R2G
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 A
Fosc, kHz: 50 kHz
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0,51 Ohm 5% 3W выв. (MOR300SJTB-0R51-Hitano)
Produktcode: 169938
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MOR_080911.pdf
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Resistenz: 0,51 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±250ppm
P Nenn.,W: 3 W
U Betriebs.,V: 500 V
Abmessungen: 15x5 mm; Dвив. = 0,76 mm
Typ: метало-оксидні мініатюрні
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Вентилятор 92x92x25, 12V, (PF92251V1-A99-A)
Produktcode: 144652
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pf92251v1-1000u-a99-datasheet.pdf
Вентилятор 92x92x25, 12V, (PF92251V1-A99-A)
Hersteller: Sunon
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lüfter und Zubehör
Abmessungen, mm: 92x92x25 mm
Spannung, V: 12 DC
Luftvolumen, m3/Stunde: 126,75 м³/год.
Leistung, Watt: 4,44 Вт
Lärm, dB: 45,5 дБ
Rotationsgeschwindigkeit, r/min: 4500 об/хв
Beschreibung: Підшипник Vapo (магнітна підвіска)
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BC856B
Produktcode: 2029
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BC856,857.pdf
BC856B
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 65
U, V: 80
I, А: 0.1
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
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