MSMBJ54AE3 MICROSEMI
Hersteller: MICROSEMI
DO-215AA/600 WATT SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR MSMBJ54
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Technische Details MSMBJ54AE3 MICROSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 0.6kW; 60V; 6.9A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.6kW, Max. off-state voltage: 54V, Breakdown voltage: 60V, Max. forward impulse current: 6.9A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: DO214AA; SMB, Mounting: SMD, Operating temperature: -65...150°C, Number of channels: 1.
Weitere Produktangebote MSMBJ54AE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MSMBJ54AE3 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MSMBJ54AE3 | Microchip Technology |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS 54V 5% 600W uni |
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Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MSMBJ54AE3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Unidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 0.6kW; 60V; 6.9A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 54V Breakdown voltage: 60V Max. forward impulse current: 6.9A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO214AA; SMB Mounting: SMD Operating temperature: -65...150°C Number of channels: 1 |
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Mindestbestellmenge: 900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MSMBJ54AE3 |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AA
Description: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AA
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| MSMBJ54AE3 |
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Hersteller: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS 54V 5% 600W uni
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS 54V 5% 600W uni
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| MSMBJ54AE3 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 60V; 6.9A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60V
Max. forward impulse current: 6.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Operating temperature: -65...150°C
Number of channels: 1
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 60V; 6.9A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60V
Max. forward impulse current: 6.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Operating temperature: -65...150°C
Number of channels: 1
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