MSMBJSAC6.0E3 Microchip Technology
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Technische Details MSMBJSAC6.0E3 Microchip Technology
Description: TVS DIODE 6VWM 11.2VC SMBJ, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V, Supplier Device Package: SMBJ (DO-214AA), Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 7.9V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V, Power - Peak Pulse: 500W, Power Line Protection: No, Part Status: Active.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| MSMBJSAC6.0E3 | Hersteller : MICROSEMI |
 DO-214AA/500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE MSMBJSAC6.0Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSMBJSAC6.0E3 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 6VWM 11.2VC SMBJ Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 30pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 41A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V Supplier Device Package: SMBJ (DO-214AA) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 7.9V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Part Status: Active |
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