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MSMLJ18Ae3 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AB
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.2V
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AB
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 102.8A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Bulk
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
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Technische Details MSMLJ18Ae3 Microchip Technology
Description: TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AB, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.2V, Voltage - Breakdown (Min): 20V, Unidirectional Channels: 1, Supplier Device Package: DO-214AB, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 102.8A, Applications: General Purpose, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Type: Zener, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AB, SMC, Packaging: Bulk, Power Line Protection: No, Power - Peak Pulse: 3000W (3kW).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MSMLJ18Ae3 | Microchip Technology |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS 18V 5% 3000W uni |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MSMLJ18Ae3 |
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Hersteller: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS 18V 5% 3000W uni
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS 18V 5% 3000W uni
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH