MSMLJ58CAE3 MICROCHIP TECHNOLOGY
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Technische Details MSMLJ58CAE3 MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V, Supplier Device Package: DO-214AB, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 64.4V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V, Power - Peak Pulse: 3000W (3kW), Power Line Protection: No, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500.
Weitere Produktangebote MSMLJ58CAE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MSMLJ58CAE3 | Hersteller : MICROSEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSMLJ58CAE3 | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V Supplier Device Package: DO-214AB Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 64.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V Power - Peak Pulse: 3000W (3kW) Power Line Protection: No Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 |
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MSMLJ58CAE3 | Hersteller : Microsemi |
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