| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.38 EUR |
| 10+ | 4.11 EUR |
| 25+ | 3.97 EUR |
| 50+ | 3.89 EUR |
| 100+ | 3.8 EUR |
| 250+ | 3.69 EUR |
| 500+ | 3.61 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MT25QL128ABA1EW7-0SIT TR Micron
Description: IC FLASH 128MBIT SPI 8WPDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 128Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR, Clock Frequency: 133 MHz, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 8-WPDFN (6x5)(MLP8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 8ms, 2.8ms, Memory Interface: SPI - Quad I/O, Memory Organization: 16M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote MT25QL128ABA1EW7-0SIT TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| MT25QL128ABA1EW7-0SIT TR | Micron |
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WPDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
verfügbar 2 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MT25QL128ABA1EW7-0SIT TR |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WPDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WPDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:


