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Technische Details MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR Micron Technology
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ., Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; parallel; 128Mx8bit; VFBGA63; parallel, Type of integrated circuit: FLASH memory, Mounting: SMD, Case: VFBGA63, Operating temperature: -40...105°C, Interface: parallel, Kind of interface: parallel, Kind of memory: Flash; NAND, Operating voltage: 2.7...3.6V, Memory organisation: 128Mx8bit, Memory: 1Gb FLASH.
Weitere Produktangebote MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR | Micron Technology Inc. | Description: SLC 1G 128MX8 FBGA |
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MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR | Micron | NAND Flash SLC 1G 128MX8 FBGA |
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| MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR | MICRON TECHNOLOGY |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; parallel; 128Mx8bit; VFBGA63; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Mounting: SMD Case: VFBGA63 Operating temperature: -40...105°C Interface: parallel Kind of interface: parallel Kind of memory: Flash; NAND Operating voltage: 2.7...3.6V Memory organisation: 128Mx8bit Memory: 1Gb FLASH |
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| MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR |
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: SLC 1G 128MX8 FBGA
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| MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR |
Hersteller: Micron
NAND Flash SLC 1G 128MX8 FBGA
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| MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR |
Hersteller: MICRON TECHNOLOGY
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; parallel; 128Mx8bit; VFBGA63; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Case: VFBGA63
Operating temperature: -40...105°C
Interface: parallel
Kind of interface: parallel
Kind of memory: Flash; NAND
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory organisation: 128Mx8bit
Memory: 1Gb FLASH
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; parallel; 128Mx8bit; VFBGA63; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Case: VFBGA63
Operating temperature: -40...105°C
Interface: parallel
Kind of interface: parallel
Kind of memory: Flash; NAND
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory organisation: 128Mx8bit
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