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Technische Details MT40A1G16TD-062E AIT:F Micron
Description: MICRON - MT40A1G16TD-062E AIT:F - DRAM, AEC-Q100, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 16Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.2V, Taktfrequenz, max.: 1.6GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 96Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MT40A1G16TD-062E AIT:F
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| MT40A1G16TD-062E AIT:F | Hersteller : MICRON |
 Description: MICRON - MT40A1G16TD-062E AIT:F - DRAM, AEC-Q100, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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| MT40A1G16TD-062E AIT:F | Hersteller : Micron Technology |
SLC NAND Flash Automotive AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MT40A1G16TD-062E AIT:F | Hersteller : Micron Technology |
DDR4 16G 1GX16 FBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MT40A1G16TD-062E AIT:F | Hersteller : Micron Technology Inc. |
Description: DDR4 16G 1GX16 FBGA Packaging: Box Memory Size: 16Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V Technology: SDRAM - DDR4 Clock Frequency: 1.6 GHz Memory Format: DRAM Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 19 ns Memory Organization: 1G x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |