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Technische Details MT40A1G8AG-062E AUT:R Micron
Description: MICRON - MT40A1G8AG-062E AUT:R - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.2V, Taktfrequenz, max.: 1.6GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 78Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote MT40A1G8AG-062E AUT:R
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MT40A1G8AG-062E AUT:R | Hersteller : MICRON |
Description: MICRON - MT40A1G8AG-062E AUT:R - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| MT40A1G8AG-062E AUT:R | Hersteller : Micron Technology |
 Automotive DDR4 SDRAM |
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| MT40A1G8AG-062E AUT:R | Hersteller : Micron Technology |
DRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 1Gx8 1.2V 78-Pin FBGA Dry/T/R Automotive AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MT40A1G8AG-062E AUT:R | Hersteller : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA Packaging: Tray Package / Case: 78-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V Technology: SDRAM - DDR4 Clock Frequency: 1.6 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 78-FBGA (7.5x11) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 19 ns Memory Organization: 1G x 8 |
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