Technische Details MT40A512M16LY-062E AUT:E MICRON
Description: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 96-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC), Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V, Technology: SDRAM - DDR4, Clock Frequency: 1.6 GHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 96-FBGA (7.5x13.5), Grade: Automotive, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 19 ns, Memory Organization: 512M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified, Qualification: AEC-Q100.
Weitere Produktangebote MT40A512M16LY-062E AUT:E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| MT40A512M16LY-062E AUT:E | Micron |
 Динамічна енергозалежна пам'ять DDR4 SDRAM, Uживл, В = 1,14...1,26, Об'єм RAM = 8 Гбіт, Орг. пам. = 512М х 16, Тдост/Частота = 1,6 ГГц, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 19 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-96 Од. вим: Anzahl je Verpackung: 1080 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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MT40A512M16LY-062E AUT:E | Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA Packaging: Tray Package / Case: 96-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V Technology: SDRAM - DDR4 Clock Frequency: 1.6 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 96-FBGA (7.5x13.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 19 ns Memory Organization: 512M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 |
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Mindestbestellmenge: 1080 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MT40A512M16LY-062E AUT:E | Micron |
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA |
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| MT40A512M16LY-062E AUT:E |
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Hersteller: Micron
Динамічна енергозалежна пам'ять DDR4 SDRAM, Uживл, В = 1,14...1,26, Об'єм RAM = 8 Гбіт, Орг. пам. = 512М х 16, Тдост/Частота = 1,6 ГГц, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 19 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-96 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 1080 Stücke
Динамічна енергозалежна пам'ять DDR4 SDRAM, Uживл, В = 1,14...1,26, Об'єм RAM = 8 Гбіт, Орг. пам. = 512М х 16, Тдост/Частота = 1,6 ГГц, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 19 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-96 Од. вим:
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| MT40A512M16LY-062E AUT:E |
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Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-FBGA (7.5x13.5)
Grade: Automotive
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 19 ns
Memory Organization: 512M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
Description: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
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Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-FBGA (7.5x13.5)
Grade: Automotive
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Memory Interface: Parallel
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DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA
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