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MT41K256M16TW-107 IT:P

MT41K256M16TW-107 IT:P Micron Technology

4gb_ddr3l.pdf
Hersteller: Micron Technology
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin FBGA Tray
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Technische Details MT41K256M16TW-107 IT:P Micron Technology

Description: MICRON - MT41K256M16TW-107 IT:P - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, FBGA, 96 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR3L, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 4Gbit, Versorgungsspannung, nom.: 1.35V, Taktfrequenz, max.: 933MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Anzahl der Pins: 96Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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MT41K256M16TW-107 IT:P MT41K256M16TW-107 IT:P Micron Micron_07-31-2025_MT41K.pdf DRAM DDR3 4Gbit 16 96/144 TFBGA 1 IT
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MT41K256M16TW-107 IT:P MT41K256M16TW-107 IT:P Micron Technology 4gb_ddr3l.pdf DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin FBGA Tray
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MT41K256M16TW-107 IT:P MT41K256M16TW-107 IT:P Micron Technology Inc. 4gb_automotive_ddr3l.pdf Description: IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
Packaging: Box
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-FBGA (8x14)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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MT41K256M16TW-107 IT:P MT41K256M16TW-107 IT:P MICRON MICT-S-A0006507729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICRON - MT41K256M16TW-107 IT:P - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, FBGA, 96 Pin(s)
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DRAM-Ausführung: DDR3L
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IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
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MT41K256M16TW-107 IT:P Micron DDR3L_8Gb_x32_1CS_TwinDie_V70S_V80A.pdf Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 1,283...1,45, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 4 Гбіт, Орг. пам. = 256М х 16, Тдост/Частота = 20 нс, Тексп, °С = -40...+95, F = 933 МГц,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-96 Од. вим: шт
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Description: IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
Packaging: Box
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
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Clock Frequency: 933 MHz
Memory Format: DRAM
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Memory Interface: Parallel
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Description: MICRON - MT41K256M16TW-107 IT:P - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, FBGA, 96 Pin(s)
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DRAM-Ausführung: DDR3L
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rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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