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MT46V16M16CY-5B IT:M

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Produktcode: 169555
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IC > IC Speicher

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MT46V16M16CY-5B IT:M MT46V16M16CY-5B IT:M Micron Technology Inc. 256mb_ddr.pdf Description: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-FBGA (8x12.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 6592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.43 EUR
10+11.56 EUR
25+11.21 EUR
40+11.03 EUR
80+10.76 EUR
230+10.36 EUR
440+10.12 EUR
1368+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MT46V16M16CY-5B IT:M MT46V16M16CY-5B IT:M Micron 256mb_ddr.pdf DRAM DDR 256Mbit 16 60/108 FBGA 1 IT
auf Bestellung 1168 Stücke:
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MT46V16M16CY-5B IT:M MT46V16M16CY-5B IT:M MICRON MICT-S-A0006798634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICRON - MT46V16M16CY-5B IT:M - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MT46V16M16CY-5BIT:M Micron
auf Bestellung 372 Stücke:
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MT46V16M16CY-5B IT:M Micron MT46V16M16CY-5B AATM.pdf Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM-DDR, Uживл, В = 2,5...2,7, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16, Тдост/Частота = 200 МГц, Тексп, °C = -40...+85, tдост = 700 пс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: FBGA-60 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1368 Stücke
verfügbar 24 Stücke:
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MT46V16M16CY-5B IT:M
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-FBGA (8x12.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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MT46V16M16CY-5B IT:M
Hersteller: Micron
DRAM DDR 256Mbit 16 60/108 FBGA 1 IT
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MT46V16M16CY-5B IT:M MICT-S-A0006798634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MT46V16M16CY-5B IT:M
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT46V16M16CY-5B IT:M - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
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IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MT46V16M16CY-5BIT:M
Hersteller: Micron
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Hersteller: Micron
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM-DDR, Uживл, В = 2,5...2,7, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16, Тдост/Частота = 200 МГц, Тексп, °C = -40...+85, tдост = 700 пс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: FBGA-60 Од. вим: шт
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