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MT47H128M16RT-25E IT:C

MT47H128M16RT-25E IT:C Micron Technology Inc.

MT47H512M4_256M8_128M16_RevJ_2018.pdf
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
Memory Organization: 128M x 16
Access Time: 400 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 84-FBGA (9x12.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 2Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 84-TFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details MT47H128M16RT-25E IT:C Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT47H128M16RT-25E IT:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 400 MHz, FBGA, 84 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: DDR2, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 2Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 400MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Anzahl der Pins: 84Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit.

Weitere Produktangebote MT47H128M16RT-25E IT:C nach Preis ab 14.48 EUR bis 72.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MT47H128M16RT-25E IT:C MT47H128M16RT-25E IT:C Micron MT47H512M4_256M8_128M16_RevJ_2018.pdf DRAM DDR2 2Gbit 16 84/135FBGA 1 IT
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MT47H128M16RT-25E IT:C MT47H128M16RT-25E IT:C MICRON MICTS06077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICRON - MT47H128M16RT-25E IT:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 400 MHz, FBGA, 84 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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MT47H128M16RT-25E IT:C Micron Technology 2gb_ddr2.pdf DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
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MT47H128M16RT-25E IT:C Micron Technology 2gb_ddr2.pdf DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
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MT47H128M16RT-25E IT:C Micron Technology 2gb_ddr2.pdf DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
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7+28.56 EUR
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MT47H128M16RT-25E IT:C Micron Technology 2gb_ddr2.pdf DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
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MT47H128M16RT-25EIT:C Micron
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MT47H128M16RT-25E IT:C Micron MT47H128M4_64M8_32M16_Micron.pdf Синхронна динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, F, МГц = 800, Uживл, В = 1,7...1,9, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 2 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 16, Тдост/Частота = 2,5 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: FBGA-84 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
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Hersteller: Micron
DRAM DDR2 2Gbit 16 84/135FBGA 1 IT
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MT47H128M16RT-25E IT:C
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT47H128M16RT-25E IT:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 400 MHz, FBGA, 84 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
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Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
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Hersteller: Micron
Синхронна динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, F, МГц = 800, Uживл, В = 1,7...1,9, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 2 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 16, Тдост/Частота = 2,5 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: FBGA-84 Од. вим: шт
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