| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.2 EUR |
| 10+ | 7.64 EUR |
| 25+ | 7.41 EUR |
| 50+ | 7.23 EUR |
| 100+ | 7.08 EUR |
| 250+ | 6.85 EUR |
| 500+ | 6.67 EUR |
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Technische Details MT47H32M16NF-25E AAT:H Micron
Description: MICRON - MT47H32M16NF-25E AAT:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR2, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 400MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 84Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote MT47H32M16NF-25E AAT:H nach Preis ab 6.81 EUR bis 8.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MT47H32M16NF-25E AAT:H | Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGADigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Memory Organization: 32M x 16 Access Time: 400 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Part Status: Active Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 400 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 84-TFBGA Packaging: Bulk |
auf Bestellung 1066 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MT47H32M16NF-25E AAT:H | MICRON |
Description: MICRON - MT47H32M16NF-25E AAT:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 84Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MT47H32M16NF-25E AAT:H | MICRON |
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auf Bestellung 4006 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MT47H32M16NF-25E AAT:H |
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Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 400 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 84-TFBGA
Packaging: Bulk
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 400 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 84-FBGA (8x12.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 84-TFBGA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 8.4 EUR |
| 10+ | 7.81 EUR |
| 25+ | 7.57 EUR |
| 50+ | 7.4 EUR |
| 100+ | 7.22 EUR |
| 250+ | 6.99 EUR |
| 500+ | 6.81 EUR |
| MT47H32M16NF-25E AAT:H |
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Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT47H32M16NF-25E AAT:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
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isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT47H32M16NF-25E AAT:H - DRAM, DDR2, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pin(s)
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IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MT47H32M16NF-25E AAT:H |
![]() |
Hersteller: MICRON
auf Bestellung 4006 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)




